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高价回收BGA芯片-全国均上门
2023-11-26 01:21  浏览:10
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但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ib。
在实际应用中我使用了LM358来代替比较器,其偏置电流为50na,串接1M的电阻,满足偏置电流的电压为50na×1M=50mv。按照st-lm358资料,其开环频率响应1k一下可以达到100db,因此理论上输入1mv的电平依然可以识别,和前边假设相比取50mv,asin(50mv/311)/2/pi/50=500ns,放大器的SR为0.6V/us,假设转换到4V,需要7us。因此使用LM358的误差为7.5us,而实际上由于每个器件的共性,因此在同步上偏差应该小于1.5us。

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