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英飞凌IGBT模块型号FS100R12KT3供应
2023-12-14 14:46  浏览:35
英飞凌IGBT模块型号FS100R12KT3供应

       英飞凌IGBT模块型号FS100R12KT3供应,IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。IGBT模块保管注意事项:一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的; 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
       栅极驱动功率的计算:由于IGBT 是电压驱动型器件,需要的驱动功率值比较小,一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT,或要求并联运行的IGBT 则需考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE(on)和关断VGE(off)电压,栅极总电荷QG 和开关频率f 的影响。栅极驱动电源的平均功率PAV 计算公式为:PAV=(VGE(on)+VGE(off))·QG·f对一般情况VGE(on)=15V,VGE(off)=10V,则PAV 简化为:PAV=25×QG×f。QG 为栅极总电荷与CGE 有关,从EUPEC 的数据资料上可查到。若IGBT 并联,则QG 是各个IGBT QG 之和,f 为IGBT 开关频率。

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