速度用来表示内存的性能(MB/s)，位宽是指内存总线的宽度(bit)，频率当然就是指数据传输的频率，注意，这里说的是数据传输的频率，而不是内存的工作频率，在DDR时代，数据传输频率是内存工作频率的二倍。
因此，提高性能有两种方式，增加内存总线的位宽或者是提高内存工作的频率。好的，让我们来看看内存如今的状态是怎么样。
虽然内存发展出很多的类型，但是它们都是基于原始的DRAM单元，实际上，它是一个晶体管和一个电容的结合体，很简单但也很。有很多尝试希 望丢弃这种阵旧的以晶体管为基础的存储方式，出现了一些新的存储技术，如MRAM(Magnetoresistive RAM)，FRAM (Ferroelectric RAM)等，但是它们都没有获得足够的成功。没有其它内存类型能够提供一个和DRAM相似的，结合了容量，价格和速度的解决方案。
当然还有很多快速的基本单元结构，象静态内存(SRAM)，它不象动态内存那样需要刷新(预充电)，但是它的每个存储单元耗用了大量的晶体管，它太贵太大了，因此内存芯片不能够达到足够大的容量，还有一些廉价的解决方案，但是它们的性能无法用于PC的主内存系统。
换句话说，基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础，因此，所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点：它需要刷新(预充电，不然随 着漏电，DRAM中的数据会消失)，以及有操作频率的上限(这也是用电容充电来存储数据的弊病)。来谈谈的参数，你能够注意到时钟频率是很长时间以来 DRAM改变的地方。当PC的其它子系统变得越来越快时，只有经典的内存单元组织结构很难提高它的时钟频率。实际上，时钟频率的提升完全要归功于半导 体工艺的进步，DRAM的结构没对频率提升做出贡献。
今天，只有那些特别挑选的内存存储阵列的工作频率能达到275MHz(如Hynix发布的DDR550)，这些都是成本高昂的产品，无法达到大批量生产。需要注意的是内存存储阵列的频率是无法达到550MHz的，这里说的是内存的传输速度。
因此，我们只剩下一条路，那就是增加内存总线的宽度，但是，这个方法受到了很多限制：今天，标准平台使用双通道128bit内存总线，它的设 计，布线已经比原来64位内存通道的主板复杂了很多，几乎很难在合理的成本下再提高内存总线位数。继续增加总线宽度，不但成本高昂，而且带来的电磁干扰会 造成极大的负面影响。
看来，我们给自己制造了一个死锁，内存单元无法提高频率，内存总线位宽也不能轻易增加，我们该何去何从？
DDR2内存就是解决方案
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
首先，让我们回忆一下已经被放弃的SDRAM的工作原理，实际上，它内部包括了许多存储单元阵列，以及输入/输出缓存和电源/刷新电路，一 个单元(电源/刷新电路)和我们下面的描述没有关系。它的三个子系统(存储单元阵列，输入/输出缓存)都以相同的频率工作，这就是它为什么称为同步内存的 原因。举例来说，一个100MHz，64位总线宽度的SDRAM，内存的数据通过I/O缓存然后到达内存控制器。这个内存模组就是我们所熟知的PC100 内存，它的带宽为800MB/s(100MHz×8 bytes或64 bits)，每个时钟周期传输一次数据，它在时钟的上升沿传输数据。
DDR (Double Data Rate SDRAM)
DDR之所以叫这个名字，是因为它能够以相同频率SDRAM的两倍来传输数据，也就是说，每时钟周期传输两次数据，它在时钟信号的上升沿和下降 沿传输数据。但是加倍的数据从何而来，设计人员使用了一个小小的诡计：内存的存储单元工作在相同的时钟频率下，但是内部总线加宽，以这种方式推进内存模组 的速度。换句话说，从内部阵列到缓存之间的总线宽度是外部总线(buffer到控制器)的两倍，结果就使得缓存到控制器的数据传输率达到内部存储单元工作 频率的两倍。也就是说，存储单元使用一个很宽但较慢的总线，但是当数据传输到控制器时使用了一个较窄但是快速的总线。
如果以实际的数字来衡量，SDRAM内部的存储阵列的总线是32位，工作频率为100MHz，缓存到外部控制器的总线也是32位，工作频率 100MHz。这里数据流没什么改变，内部和外部总线宽度与频率都没有变化，SDRAM模组通过同步读取两颗芯片达到64位的带宽。
DDR的情况有所不同，内部的存储阵列通过一条64位，100MHz的总线连接I/O缓存(或者叫信号放大器)，但是数据到内存控制器需要两次 通过32位的总线。换句话说，每时钟周期传输两次数据，分别通过时钟的上升沿和下降沿传输信号。结果就是，数据传输率是内部存储阵列频率的两倍。我们可以 描绘一个明显的场景：数据流慢慢通过宽的管道，然后进入一个狭窄的管道，但是流动的速度更快。DDR内存模组也是64位，模组上的两颗芯片同步读写。
