B型剩余电流断路器测试仪（以下简称测试仪）是为剩余电流断路器的性能测试而研制，它是检测B型剩余电流断路器脱扣电流和分断时间的关键仪器。

测试仪适用于电子式和电磁式的剩余电流断路器。
1P+N、2P、、+N、4P的断路器均能测试，输出大剩余电流为2A。

系统显示和操作采用流行的工业级触摸屏，操作简单；

接地方式：可靠接地

  测试仪输出的电流值为真有效值，测试不确定度小于1%；

（2）50Hz交流剩余电流范围：0~2A；

选项角为0°的脉动直流剩余电流，电流的范围为0~800mA；

选项角为135°的直流剩余电流，电流的范围为0~200mA；

（5）叠加平滑直流的范围为5~100mA；

 但由于该传感器信号发射器和供电电池必须与应变片一同安装固定在转轴上，所以就给安装带来了一定的难度，其测量时间受到蓄电池供电能力的影响，不适合长时间监测，且其信号在传输时易受测试环境温度、湿度、粘贴及粘贴剂的干扰，会对测量准确度造成影响。
钢弦式轴功率测量原理及方法钢弦式船舶轴功率测量方法是另外一种重要的测量方法，钢弦通过卡环安装在被测轴上，当应力作用于被测轴上时，轴表面产生变形，就会拉紧或放松钢弦，从而钢弦自身频率发生变化，进而可以间接测得轴系扭矩。
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。
本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管。
芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。
假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。
驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。
举例来说，开关在一个短时间内施加一个电压到感应电极上对其充电，之后开关断开，第二个开关再将电极上的电荷释放到更大的一个采样电容中。
人手指的触摸增大了电极的电容，导致传输到采样电容上的电荷增加，采样电容因此改变，据此就能得出检测结果。
QT器件在突发模式采样之后即进行数字信号处理，这种方法能提供比竞争方案更高的动态范围和更低的功耗，而自动校准例程可以补偿因为环境条件改变带来的漂移。
更重要的是，这种方法足够灵敏，在电流透过厚的面板时不需要一个参考地连接，因此适合电池供电的设备。