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DDR上电时序测试,信号完整性测试
2023-12-16 04:21  浏览:10
DDR上电时序测试,信号完整性测试

DDR内存芯片的内部结构图

这是一颗128Mbit的内存芯片,从图中可以看出来,白色区域内与SDRAM的结构基本相同,但请注意灰色区域,这是与SDRAM的不同之处。首先就是内部的L-Bank规格。SDRAM中L-Bank 存储单元的容量与芯片位宽相同,但在DDR SDRAM中并不是这样,存储单元的容量是芯片位宽的一倍,所以在此不能再套用讲解SDRAM时 “芯片位宽=存储单元容量” 的公式了。也因此,真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。

以本芯片为例,在读取时,L-Bank在内部时钟信号的触发下一次传送8bit的数据给读取锁存器,再分成两路4bit数据传给复用器,由后者将它们合并为一路4bit数据流,然后由发送器在DQS的控制下在外部时钟上升与下降沿分两次传输4bit的数据给北桥。这样,如果时钟频率为100MHz,那么在I/O端口处,由于是上下沿触发,那么就是传输频率就是200MHz。

现在大家基本明白DDR SDRAM的工作原理了吧,这种内部存储单元容量(也可以称为芯片内部总线位宽)=2×芯片位宽(也可称为芯片I/O总线位宽)的设计,就是所谓的两位预取(2-bit Prefetch),有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch(n代表芯片位宽)。

二、DDR SDRAM与SDRAM的不同

DDR SDRAM与SDRAM的不同主要体现在以下几个方面。

DDR SDRAM与SDRAM的主要不同对比表

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