描述

SA2106是一款针对于双NMOS的半桥栅 极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功 率MOSFET和IGBT设计，可在高达60V电 压下工作。

SA2106内置VCC（UVLO）保护功能，防 止功率管在过低的电压下工作，提高效率。

SA2106输入脚兼容3.3/5.0V输入逻辑，

集 成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为 +1.0A/-1.5A。

SA2106采用SOP8和DFN3X3-8封装。

特性

 悬浮juedui电压: 60V

 电源电压工作范围: 5.0-20.0V

 IO兼容3.3/5V输入逻辑

 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.)

 死区时间: 200ns (typ.)

 集成VCC欠压保护

 单线控制集成10k下拉电阻

 SOP8, DFN3X3-8

封装

典型应用

 马达驱动