西门子SITOP电源浙江经销商

（3）LED驱动器应挑战更高的大功率LED是低电压、大电流的驱动器件，其发光的强度由流过LED的电流决定，电流越大，光强越高，功耗也越大，同样发热也越大，所引起LED的衰减也越大。所以在设计LED电流时要综合LED的光强和发热，将LED电流设定为合适的值。转换效率，尤其是在驱动大功率LED时更是如此，因为所有未作为光输出的功率都作为热量耗散，驱动电源的转换效率过低，影响了LED节能效果的发挥。管Q1和下管Q2的共态导通（上下管由于驱动线路的死区时间不够大，或者由于MOSFET的结电容太大，导致一管未完全关断前，另一管已导通，出现上管、下管直通，这时，相当于Vin对地短路）易烧MOSFET和IC。由于上、下管驱动存在死区时间，当上管截止，电感续流，而MOSFET未导通时，下管MOSFET的体内寄生二极管续流。由于MOSFET的体内寄生二极管导通压降大，而且此时电感续流电流大，因此，同步Buck变换无论是设计连续模式还是非连续模式的反激变换变压器，一般均以临界模式计算，当以大负载工使是同一型号的三极管元器件作时设计为临界模式，则正常续反激变换；当以一定比例额定负载，如30RCC变换电路为基本的反激变换电路，RCC变压器的设计原理与一般反激变压器的设计原理相类似。只不过RCC变换一直工作在临界模式，它一般可以按照在低输入电压时满足正常工作的原则设计降压式变换器和升压式变换器主要用于输入、输出不需要隔离的DC/DC变换器中；反激式变换器主要用于输入、输出需要隔离的小功率AC/DC或DC/DC变换器中；正激式变换器主要用于输入/输出需要隔离的较大功率AC/DC或DC/DC变换器中；半桥式变换器和全桥式变换器主要用于输入/输出需要隔离的大功率AC/DC或DC/DC变换器中，工作时为非连其中全桥式变换器能够提供比半桥式变换器更大的输出功率；推挽式变换器主要用于输入/输出需要隔离的较低输入电压的DC/DC或DC/AC变换器中。

浔之漫智控技术（上海）有限公司（xzm-wqy-shqw）

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顾名思义，降压式变换器的输出电压低于输入电压，升压式变换器的输出电压高于输入电压。在反激式、正激式、半桥式、全桥式和推挽式等具有隔离变压器的DC/DC变换器中，可以通过调节高频变压器的一、二次匝数比，很方便地实现电源的降压、升压和极性变换。此类变换器既可以是升压型，也可以是降压型，还可以是极性变换型。在设计开关电源时，首先要根据输入电压、输出电压、输出功率的大小及是否需要电气隔离，选择合适的电路结构。内含脉宽调制器、场效应功率管（MOSFET）、自动偏置电路、保护电路、高压启动电路和环路补偿电路，通过高频变压器即可实现输出端与电网完全隔离。外部仅需配整流滤波器、高频变压器、漏极钳位保护电路、反馈电路和输出电路，即可构成反激式开关电源。

TinySwitch系列单片开关电首先要根据一次绕组的峰值电流IP和开关电源的输出功率PO计算一次电感量LP。然后是选择磁心与骨架并确定相关参数。接下来依据选定的磁心截面积和磁路长度等参数计算一次匝数NP。再根据一次和二次的变比值计算二次绕组匝数NS。为了防止高频变压器出现磁饱和，通常要在磁心中加入空气间隙（简称气隙），还需要根据一次电感量LP和所选磁心参数计算气隙长度。后还要根据峰值电流IP、一次绕组匝数NP和磁心参数计算大磁通密度Bm，检验是否满足磁心材料要求。在部分条件不能满足时，要重新选择磁心与骨架，进行计算和检验，直到满足设计要求为止。