KF3007XG系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET), 采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
KF3007XG系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点
-30V/-4.1A
Rps(oN)<88mQ@ Vas=-10V,ID>=-4.1A
RDs(oN)< 108mO@ Vas--4.5V,Ip-3A
超大密度单元、极小的RDsION)
超小封装: SOT23
典型应用
电源管理
负载开关
电池保护