输入电压范围：2.5V 至 30V
集成反向阻断 FET，额定电压高达 20V，适用于高压充电模式
极低的电源路径电阻：53mΩ （典型值）
精度高达±3%的可编程过压保护阈值
内部软启动防止浪涌电流
热关断保护，自动恢复功能
精度高达±5% 的电流指示
符合 RoHS 标准且无卤素
紧凑型封装：CSP1.73×1.73-12
输入电压范围：2.5V 至 30V
集成反向阻断 FET，额定电压高达 20V，适用于高压充电模式
极低的电源路径电阻：53mΩ （典型值）
精度高达±3%的可编程过压保护阈值
内部软启动防止浪涌电流
热关断保护，自动恢复功能
精度高达±5% 的电流指示
符合 RoHS 标准且无卤素
紧凑型封装：CSP1.73×1.73-12