MBE分子束外延的来源
分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。
随着超高真空技术的发展而日趋完善，分子束外延厂家，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件，分子束外延报价，扩展了半导体科学的新领域，进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。
分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。
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什么是MBE分子束外延技术？
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分子束外延技术
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，分子束外延，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，分子束外延生产厂家，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。
简称MBE法。
MBE400 分子束外延系统设备组成
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超高真空蒸发沉积室 1套
该室主要是分子束外延沉积：极限真空度：5x10-8Pa；真空室检漏漏率：小于2.0x10-8 Pa.L/S；短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa，小于40分钟；
进样室1套
进样室极限真空： 6.6×10－5Pa；真空检漏漏率：10－7Pa.L/S短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa，小于40分钟；
探头规夹持、移动驱动机构1套
差分式高能电子衍射仪（RHEED）1套
电子衍射强度振荡生长速率监测系统1套
分子束蒸发源组件： 5套
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