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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。
采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。
化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。
在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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扩散工艺
扩散目的
在来料硅片 P 型硅片的基础上扩散一层 N 型磷源，形成 PN 结。
扩散原理
POCl 3 在高温下 （ > 600 ℃ ） 分解生成五氯化磷 （ PCl 5 ） 和五氧化二磷 （ P 2 O 5 ）， 其反应式如下 ：
5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5
生成的 P 2 O 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：
2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2 4PPOCl 3
热分解时，如果没有外来的氧（ O 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
但在有外来 O2 存在的情况下， PCl 5 会进一步分解成 P2O 5 并放出氯气（ Cl 2 ）其反应式如下：
4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2
生成的 P 2 O 5 又进一步与硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。
就这样 POCl 3 分解产生的 P 2 O 5 淀积在硅片表面， P 2O 5 与硅反应生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。
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收购碎电池片的方式
电池片切开:将单晶硅棒切割成具备精准几何图形规格的薄硅片。
此全过程中造成的硅粉选用水淋，造成污水和硅渣。
电池片淬火:双工装夹具热氧化炉经N2吹扫后，用红外线加温至300~500℃，硅片表层和co2产生反映，使硅片表层产生sio2保护层厚度。
电池片倒角:将淬火的硅片开展整修成圆弧状，避免硅片边沿裂开及晶格常数缺点造成，提升磊晶层及光阻层的平整度。
此全过程中造成的硅粉选用水淋，造成污水和硅渣。
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