等离子体增强化学气相沉积的主要过程
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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：
首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；
其二，等离子化学气相沉积设备价格，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，等离子化学气相沉积设备报价，同时发生各反应物之间的次级反应；
然后，等离子化学气相沉积设备，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，等离子化学气相沉积设备多少钱，同时伴随有气相分子物的再放出。
等离子体化学气相沉积
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等离子体化学气相沉积简称PCVD，是一种用等离子体激发反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。
化学气相沉积的分类
化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。
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