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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素，回收报废发电板多少钱，基本上满地常有硅的存有，百口莫辩取之不竭，用硅来生产制造太阳电池，原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易，因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起，又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池，迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池，都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多，随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池，除硅系列产品外，也有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等很多种类的太阳电池，不胜枚举，下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
电池片各工序影响因素及异常情况
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很强烈，变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣硫酸具备酸和络合剂的双向功效，硫酸盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，回收废旧发电板，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
A级：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处
B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处
四边豁口
A级：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处
B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处
注：多晶硅A级和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。彻底粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
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