2n60参数-代换
2n60功率mos场效应管采用先进的高压dmos工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快 的开关速度,极低栅电荷,最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源,dc/dc转换器,pwm马达控制和桥式驱动电路等。
特征
· 2a,600v, rds(on)=3.8ω@vgs=10v;
· 极低栅电荷,典型9nc;
·极低反向转换电容;典型5pf
· 快速开关能力;
· 增强的dv/di能力;
· 雪崩击穿测试;
· 封装型式:to-220,to-220f,to-251,to-252
· 最大结温 150 ℃
2n60参数-to-220封装代换
刘程 13247610001