晶硅薄膜太阳电池制备工艺的流程为所有光伏电池中流程短。但是对非晶硅半导体膜系的真空PECVD制备从膜系设计到工艺过程控制的要求是非常严格的。
当前小面积电池的实验室制备已达到接近15%的光电转换效率，而工艺生产的大面积组件在大多数生产线上还未达到认证效率6%。理论上大面积组件的极限是小面积器件的85-90%，小面积器件与组件的光电准换效率的差距体现了一条生产线的技术水平。
国际上少数非晶硅生产线已制备出认证效率8%以上的组件，由于几乎所有其他类型的光伏组件(包括当前热议的微晶硅薄膜电池)在实际运行高温情况与阴天低照度下性能不佳的问题而唯独非晶硅组件在这些实际运行条件下表现秀的性能，所以其它类型的大面积薄膜电池的低成本规模制造出认证光电转换效率超过12%的组件以前，即使在规模发电应用，非晶硅光伏组件以其低的制造成本，适中的，并不像误传的那么差的光电转换效率，是无法被淘汰的，且不说美丽的半透明组件以及可以弯曲，质量轻又不易破碎的柔性组件等只有非晶硅具备的优越性能的应用了。一年多之后，新安装的光伏发电能力增加了近10倍，其中90%以上是地面电站。
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多晶硅太阳能电池板和单晶硅的硅晶体具有不同的晶面取向，因此导电性比单晶硅差得多。太阳能电池的理论转换效率为25%，实际产品的转换效率为13%~18%。
多晶硅和单晶硅的区别主要表现在物理性质上。例如，机械性能、光学性能和热性能的各向异性远不如单晶硅明显。就电学性质而言，多晶硅晶体的导电性远不如单晶硅显著，甚至几乎没有导电性。就化学活性而言，两者之间的差别很小。
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虽然“硅”的主要原料是取之不尽用之不竭的，但“硅”的提炼和提纯却非常困难，滞销硅片厂家回收，而且消耗大量的能源。EVA暴露在空气中容易老化和发黄，影响组件的透光率，从而影响组件的发电质量。因此，考虑到“硅”的使用和光伏发电效率，已经开发了多晶硅太阳能电池(见图2)。我们知道单晶硅棒是圆柱形的，当单晶硅棒制成单个电池片时，四个角会有菱形的倒角，成为缺陷正方形，单晶硅棒成组(板)后会存在平面利用率低的缺陷。
多晶硅太阳能电池是否选择电阻率为100 ~ 300ω？将废单晶硅尾矿和冶金级硅材料粉碎，用一定比例的混合液腐蚀，用去离子水洗涤至中性，干燥。将它放入应时坩埚中，加入适量的硼硅酸盐，放入铸造炉中，在真空状态下加热熔化，保温20分钟左右，然后注入方形石墨模具中，缓慢凝固冷却后，成为多晶硅锭，将此片加工成方形太阳能电池，不仅可以提高材料利用率，而且便于组装。尽管近年来中国的全球光伏装机容量保持不变，但光伏组件回收利用的政策法规却是空白，参与企业也很少。与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅电池具有成本优势，但由于材料中存在晶界、晶格位错和高杂质碳氧含量，多晶硅电池的光电转换效率一直徘徊在较低水平。近年来，多晶硅太阳能电池的技术水平迅速提高，其组件的转换效率达到15%以上，与单晶硅电池的差距逐渐缩小。
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