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研究及结论 本项目采用有机化学合成法，利用正三辛基（TOP）辅助的快速注入生长方法，改进传统的制备工艺，实现了CdSe／CdS厚壳层核壳点复合材料的合成制备。并对所合成的核、核壳点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV－vis、PL表征和红光补偿效果测试。合成的CdSe核直径大约5nm，半峰宽27nm，长春光扩散微球，具有立方纤锌矿晶格结构，详见图1；CdSe／CdS核壳点直径约11nm，半峰宽33nm，光扩散微球厂家，具有CdS晶格结构的特征峰；合成的CdSe／CdS点荧光微球直径约为45－75 μm，光扩散片微球大小，半峰宽30nm，外观呈菱形规则形貌，且颗粒分散性良好，见图2。将该材料与YAG：Ce3＋黄色荧光粉组合应用，获得了高光效（148．29lm／W），高显色指数（Ra＝90．1，R9＝97．0）的白光发光二级管，获得的CdSe／CdS核壳点复合材料在白光发光二极管中深红光波段的补偿效果。对产业化实现核壳点复合材料批量制备及WLED规模生产具有重要意义。
基本原理是将荧光材料均匀分散在介质中， 利用聚合反应、微化方法或分子自组装方法制备荧光微球。此方法制备出来的荧光微球一般都具有明显的核-壳结构，光扩散膜微球，而且可以制备各种荧光微球，制备出的微球还可以包含多种荧光材料，因此可以发射出多个荧光信号。包埋法有两种制备方式:一种是荧光材料包覆在载体内部；一种是包覆在载体外部。
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