压控振荡器优点
低相位噪声：高频低抖动的LVDS输出压控晶振，抖动小于0.6ps(12K~20M)。高频率输出:CMOS可达到245MHz， LVDS高频率为2.1GHz， HCSL高可到700MHz。经常会结合PLL锁相电路实现超高频，如图1所示。小尺寸: VCXO尺寸为2.5x2.0mm， CMOS输出，工作电压1.8~5.0V， 频率范围为4.0~50MHz.低功耗: 电压可选1.8V。
压控振荡器的工作原理
晶体压控振荡器在用石英晶体稳频的振荡器中，把变容二极管和石英晶体相串接，就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围，石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体，在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。
在微波频段，用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展，工业级电压调振荡器厂家，将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。
一种具有温度补偿效应的环形振荡器设计
介绍了一种基于O.35μm标准CMOS工艺实现的三级差分环形压控振荡器。结果表明，2.5V电源电压供电时，振荡器中心频率为315MHz，工作电流为330uA，电路功耗仅为825uW。温度范围为一30~80℃，输出频率的中心频率为295~328MHz，频率变化小于1000ppm。本设计可极大的改善由于温度引起的振荡器频率严重变化的影响，可应用于锁相环和频率综合器设计中。
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