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现代生活中，随着电子产业的发展，相应的大规模和超大规模集成电路的生产除了对防静电指标有一定的要求外，同时还对生产产品的环境洁净度也提出了不同的要求。国外新的技术已使生产环境的洁净度达到了Class1的水平（即一个立方米的空间中大于0.3微米的尘埃粒子不超过1个）。这就要求操作人员穿着的衣服除了具有防静电性能外，同时必须具有不发尘、又能有效阻隔人体新陈代谢所产生的微小尘埃穿过衣服进入到洁净环境中去。这就归功于应用超净面料防静电服。
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首先在器件和产品的设计中，应充分体现静电防护的思想，在器件内部设置静电防护元件(ESD Protection Device)，尽量使用对静电不敏感的器件以及对所使用的静电放电敏感(ESDS, ESD-sensitive)器件提供适当的输入保护，使其更合理地避免ESD的伤害。MOS工艺是集成电路制造的主导技术, 以金属－氧化物－半导体场效应管为基本构造元件。由于MOS器件中场效应管的栅、源极之间是一层亚微米级的绝缘栅氧化层，故其输入阻抗通常大于1000M ，并且具有5pF左右的输入电容，极易受到静电的损害。因此，在MOS器件的输入级中均设置了电阻-二极管防护网络，串联电阻能够限制尖峰电流, 二极管则能限制瞬间的尖峰电压。器件内常见的防护元件还有：电容、双极晶体管、可控硅整流器（SCR，见图1）等, ESD发生时，它们在受保护器件之前迅速作出反应，将ESD的能量吸收、释放，使被保护器件所受冲击大为降低。正常情况下，防护元件在其一次崩溃(First Breakdown)区内工作，不会受到ESD损伤，一旦外加电压或电流过量(Overstress)，进入二次崩溃(Secondary Breakdown)区的防护元件将受到不可逆转的损害，失去对器件的保护作用。
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静电泄放的途径是多样的，包括空气也能被泄放，我们要能及时泄放，不能累计到一定程度再泄放，累计到一定程度后的静电电压高达10~30KV，这是很高的电压，头发都能竖起来。并且静电放电的特点是顶端放电，成直线集中放电，接地越好的设备被集中放电就麻烦大了，特别是在油墨盘的位置，不起火才怪。 随着微电子工业制造技术的飞速发展，集成电路的集成度不断提高，采用 0.1 5~0.25m m制造工艺的CMOS器件被广泛使用，其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件，采用了特殊的制造工艺，如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等，其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感，有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。
