中国第三代半导体产业预测分析及未来发展前景报告2022-2027年
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【报告编号】 338163
【出版日期】 2022年3月
【出版机构】 中研华泰研究院
【报告价格】 纸质版:6500元 电子版:6800元 纸质版+电子版:7000元
【交付方式】 EMIL电子版或特快专递
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章 第三代半导体相关概述
1.1 第三代半导体基本介绍
1.1.1 基础概念界定
1.1.2 主要材料简介
1.1.3 历代材料性能
1.1.4 产业发展意义
1.2 第三代半导体产业发展历程分析
1.2.1 材料发展历程
1.2.2 产业演进全景
1.2.3 产业转移路径
1.3 第三代半导体产业链构成及特点
1.3.1 产业链结构简介
1.3.2 产业链图谱分析
1.3.3 产业链生态体系
1.3.4 产业链体系分工
第二章 2019-2021年全球第三代半导体产业发展分析
2.1 2019-2021年全球第三代半导体产业运行状况
2.1.1 标准制定情况
2.1.2 国际产业格局
2.1.3 市场发展规模
2.1.4 SiC创新进展
2.1.5 GaN创新进展
2.1.6 企业竞争格局
2.1.7 企业发展布局
2.1.8 企业合作动态
2.2 美国
2.2.1 经费投入规模
2.2.2 产业技术优势
2.2.3 技术创新中心
2.2.4 项目研发情况
2.2.5 战略层面部署
2.3 日本
2.3.1 产业发展计划
2.3.2 封装技术联盟
2.3.3 技术状况
2.3.4 产业战略部署
2.3.5 国际合作动态
2.4 欧盟
2.4.1 项目研发情况
2.4.2 产业发展基础
2.4.3 前沿企业格局
2.4.4 未来发展热点
第三章 2019-2021年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析
3.1 政策环境（Political）
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 行业标准现行情况
3.1.4 中美贸易摩擦影响
3.2 经济环境（Economic）
3.2.1 宏观经济概况
3.2.2 工业运行情况
3.2.3 投资结构优化
3.2.4 未来经济展望
3.3 社会环境（Social）
3.3.1 社会教育水平
3.3.2 知识专利水平
3.3.3 研发经费投入
3.3.4 技术人才储备
3.4 技术环境（Technological）
3.4.1 专利申请状况
3.4.2 科技计划专项
3.4.3 制造技术成熟
3.4.4 产业技术联盟
第四章 2019-2021年中国第三代半导体产业发展分析
4.1 中国第三代半导体产业发展特点
4.1.1 数字基建打开成长空间
4.1.2 背光市场空间逐步扩大
4.1.3 衬底和外延是关键环节
4.1.4 各国政府高度重视发展
4.1.5 产业链向国内转移明显
4.2 2019-2021年中国第三代半导体产业发展运行综述
4.2.1 产业发展现状
4.2.2 产线产能规模
4.2.3 产业标准规范
4.2.4 国产替代状况
4.2.5 行业发展空间
4.3 2019-2021年中国第三代半导体市场运行状况分析
4.3.1 市场发展规模
4.3.2 细分市场规模
4.3.3 市场应用分布
4.3.4 区域竞争格局
4.3.5 企业竞争格局
4.3.6 产品发展动力
4.4 2019-2021年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析
4.4.1 上游金属硅产能释放
4.4.2 上游金属硅价格走势
4.4.3 上游氧化锌市场现状
4.4.4 上游材料产业链布局
4.4.5 上游材料竞争状况分析
4.5 中国第三代半导体产业发展问题分析
4.5.1 产业发展问题
4.5.2 市场推进难题
4.5.3 技术发展挑战
4.5.4 材料发展挑战
4.6 中国第三代半导体产业发展建议及对策
4.6.1 产业发展建议
4.6.2 建设发展联盟
4.6.3 加强企业培育
4.6.4 集聚产业人才
4.6.5 推动应用示范
4.6.6 材料发展思路
第五章 2019-2021年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析
5.1 GaN材料基本性质及制备工艺发展状况
5.1.1 GaN产业链
5.1.2 GaN结构性能
5.1.3 GaN制备工艺
5.1.4 GaN材料类型
5.1.5 技术专利情况
5.1.6 技术发展趋势
5.2 GaN材料市场发展概况分析
5.2.1 市场供给情况
5.2.2 材料价格走势
5.2.3 材料技术水平
5.2.4 应用市场结构
5.2.5 应用市场预测
5.2.6 市场竞争状况
5.3 GaN器件及产品研发情况
5.3.1 器件产品类别
5.3.2 GaN晶体管
5.3.3 射频器件产品
5.3.4 电力电子器件
5.3.5 光电子器件
5.4 GaN器件应用领域及发展情况
5.4.1 电子电力器件应用
5.4.2 高频功率器件应用
5.4.3 应用实现条件与对策
5.5 GaN器件发展面临的挑战
5.5.1 器件技术难题
5.5.2 电源技术瓶颈
5.5.3 风险控制建议
第六章 2019-2021年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析
6.1 SiC材料基本性质与制备技术发展状况
6.1.1 SiC性能特点
6.1.2 SiC制备工艺
6.1.3 SiC产品类型
6.1.4 单晶技术专利
6.1.5 技术发展路线
6.2 SiC材料市场发展概况分析
6.2.1 产业链分析
6.2.2 材料价格走势
6.2.3 材料市场规模
6.2.4 材料技术水平
6.2.5 市场应用情况
6.2.6 企业竞争态势
6.3 SiC器件及产品研发情况
6.3.1 电力电子器件
6.3.2 功率模块产品
6.3.3 器件产品研发
6.3.4 产品发展趋势
6.4 SiC器件应用领域及发展情况
6.4.1 应用整体技术路线
6.4.2 电网应用技术路线
6.4.3 电力牵引应用技术路线
6.4.4 电动汽车应用技术路线
6.4.5 家用电器和消费类电子应用
第七章 2019-2021年第三代半导体其他材料发展状况分析
7.1 Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析
7.1.1 基础概念介绍
7.1.2 材料结构性能
7.1.3 材料制备工艺
7.1.4 主要器件产品
7.1.5 应用发展状况
7.1.6 发展建议对策
7.2 宽禁带氧化物半导体材料发展分析
7.2.1 基本概念介绍
7.2.2 材料结构性能
7.2.3 材料制备工艺
7.2.4 主要应用器件
7.3 氧化镓（Ga2O3）半导体材料发展分析
7.3.1 材料结构性能
7.3.2 材料制备工艺
7.3.3 主要技术发展
7.3.4 器件应用发展
7.3.5 未来发展趋势
7.4 金刚石半导体材料发展分析
7.4.1 材料结构性能
7.4.2 衬底制备工艺
7.4.3 主要器件产品
7.4.4 应用发展状况
7.4.5 器件研发进展
7.4.6 未来发展前景
第八章 2019-2021年第三代半导体下游应用领域发展分析
8.1 第三代半导体下游产业应用领域发展概况
8.1.1 下游应用产业分布
8.1.2 下游产业优势特点
8.1.3 下游产业需求旺盛
8.2 2019-2021年电子电力领域发展状况
8.2.1 全球市场发展规模
8.2.2 发展规模
8.2.3 国内器件应用分布
8.2.4 国内应用市场规模
8.2.5 器件厂商布局分析
8.2.6 器件产品价格走势
8.3 2019-2021年微波射频领域发展状况
8.3.1 射频器件市场规模
8.3.2 射频器件市场结构
8.3.3 射频器件市场需求
8.3.4 国防基站应用规模
8.3.5 射频器件发展趋势
8.4 2019-2021年半导体照明领域发展状况
8.4.1 发展政策支持
8.4.2 行业发展规模
8.4.3 产业链分析
8.4.4 应用市场分布
8.4.5 照明技术突破
8.4.6 技术发展方向
8.4.7 行业发展展望
8.5 2019-2021年半导体激光器发展状况
8.5.1 市场规模现状
8.5.2 企业发展格局
8.5.3 应用研发现状
8.5.4 主要技术分析
8.5.5 未来发展趋势
8.6 2019-2021年5G新基建领域发展状况
8.6.1 5G建设进程
8.6.2 应用市场规模
8.6.3 赋能射频产业
8.6.4 应用发展方向
8.6.5 产业发展展望
8.7 2019-2021年新能源汽车领域发展状况
8.7.1 行业市场规模
8.7.2 主要应用场景
8.7.3 企业布局情况
8.7.4 市场应用空间
8.7.5 市场需求预测
第九章 2019-2021年第三代半导体材料产业区域发展分析
9.1 2019-2021年第三代半导体产业区域发展概况
9.1.1 产业区域分布
9.1.2 区域建设回顾
9.2 京津翼地区第三代半导体产业发展分析
9.2.1 北京产业发展状况
9.2.2 顺义产业扶持政策
9.2.3 保定产业发展情况
9.2.4 应用联合创新基地
9.2.5 区域未来发展趋势
9.3 中西部地区第三代半导体产业发展分析
9.3.1 四川产业发展状况
9.3.2 重庆产业发展状况
9.3.3 西安产业发展状况
9.4 珠三角地区第三代半导体产业发展分析
9.4.1 广东产业发展政策
9.4.2 广州市产业支持
9.4.3 深圳产业发展状况
9.4.4 东莞产业发展状况
9.4.5 区域未来发展趋势
9.5 华东地区第三代半导体产业发展分析
9.5.1 江苏产业发展概况
9.5.2 苏州产业发展状况
9.5.3 山东产业发展规划
9.5.4 福建产业发展状况
9.5.5 区域未来发展趋势
9.6 第三代半导体产业区域发展建议
9.6.1 提高资源整合效率
9.6.2 补足SiC领域短板
9.6.3 开展关键技术研发
9.6.4 鼓励地方加大投入
第十章 2018-2021年第三代半导体产业重点企业经营状况分析
10.1 三安光电股份有限公司
10.1.1 企业发展概况
10.1.2 业务布局动态
10.1.3 经营效益分析
10.1.4 业务经营分析
10.1.5 财务状况分析
10.1.6 核心竞争力分析
10.1.7 公司发展战略
10.1.8 未来前景展望
10.2 北京赛微电子股份有限公司
10.2.1 企业发展概况
10.2.2 相关业务布局
10.2.3 经营效益分析
10.2.4 业务经营分析
10.2.5 财务状况分析
10.2.6 核心竞争力分析
10.2.7 公司发展战略
10.2.8 未来前景展望
10.3 厦门乾照光电股份有限公司
10.3.1 企业发展概况
10.3.2 经营效益分析
10.3.3 业务经营分析
10.3.4 财务状况分析
10.3.5 核心竞争力分析
10.3.6 公司发展战略
10.3.7 未来前景展望
10.4 湖北台基半导体股份有限公司
10.4.1 企业发展概况
10.4.2 经营效益分析
10.4.3 业务经营分析
10.4.4 财务状况分析
10.4.5 核心竞争力分析
10.4.6 公司发展战略
10.5 华灿光电股份有限公司
10.5.1 企业发展概况
10.5.2 经营效益分析
10.5.3 业务经营分析
10.5.4 财务状况分析
10.5.5 核心竞争力分析
10.5.6 公司发展战略
10.5.7 未来前景展望
10.6 闻泰科技股份有限公司
10.6.1 企业发展概况
10.6.2 经营效益分析
10.6.3 业务经营分析
10.6.4 财务状况分析
10.6.5 核心竞争力分析
10.6.6 公司发展战略
10.6.7 未来前景展望
10.7 株洲中车时代电气股份有限公司
10.7.1 企业发展概况
10.7.2 经营效益分析
10.7.3 业务经营分析
10.7.4 财务状况分析
10.7.5 核心竞争力分析
10.7.6 公司发展战略
第十一章 第三代半导体产业投资价值综合评估
11.1 行业投资背景
11.1.1 行业投资规模
11.1.2 投资市场周期
11.1.3 行业投资动态
11.1.4 行业投资前景
11.2 行业投融资情况
11.2.1 国际投资案例
11.2.2 国内投资案例
11.2.3 国际企业并购
11.2.4 国内企业并购
11.2.5 企业融资动态
11.3 行业投资壁垒
11.3.1 技术壁垒
11.3.2 资金壁垒
11.3.3 贸易壁垒
11.4 行业投资风险
11.4.1 企业经营风险
11.4.2 技术迭代风险
11.4.3 行业竞争风险
11.4.4 产业政策变化风险
11.5 行业投资建议
11.5.1 积极把握5G通讯市场机遇
11.5.2 收购企业实现关键技术突破
11.5.3 关注新能源汽车催生需求
11.5.4 国内企业向IDM模式转型
11.5.5 加强高校与科研院所合作
11.6 投资项目案例
11.6.1 项目基本概述
11.6.2 资金需求测算
11.6.3 经济效益分析
11.6.4 项目投资必要性
11.6.5 项目投资可行性
第十二章 2022-2027年第三代半导体产业前景与趋势预测
12.1 第三代半导体未来发展趋势
12.1.1 产业成本趋势
12.1.2 未来发展趋势
12.1.3 应用领域趋势
12.2 第三代半导体未来发展前景
12.2.1 重要发展窗口期
12.2.2 产业应用前景
12.2.3 产业发展机遇
12.2.4 产业市场机遇
12.2.5 产业发展展望
12.3 2022-2027年中国第三代半导体行业预测分析
12.3.1 2022-2027年中国第三代半导体行业影响因素分析
12.3.2 2022-2027年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测
附录
附录一：新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策
附录二：关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施
图表目录
图表1 第三代半导体特点
图表2 第三代半导体主要材料
图表3 不同半导体材料性能比较（一）
图表4 不同半导体材料性能比较（二）
图表5 碳化硅、氮化镓的性能优势
图表6 半导体材料发展历程及现状
图表7 半导体材料频率和功率特性对比
图表8 第三代半导体产业演进示意图
图表9 第三代半导体产业链
图表10 第三代半导体产业链
图表11 第三代半导体衬底制备流程
图表12 第三代半导体产业链全景图谱
图表13 第三代半导体健康的产业生态体系
图表14 国际电工委员会（IEC）第三代半导体标准
图表15 固态技术标准协会（JEDEC）第三代半导体标准
图表16 国际部分汽车电子标准
图表17 2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均价格
图表18 1990-2020年国外SiC技术进展
图表19 国际上已经商业化的SiC SBD的器件性能
图表20 2020年国际企业新推出的SiC MOSFET产品
图表21 国际已经商业化的SiC晶体管器件性能
图表22 2020年国际企业新推出的SiC功率模块产品
图表23 国际上已经商业化的GaN电力电子器件性能
图表24 国际上商业化的GaN射频产品性能
图表25 2020年国际企业推出的GaN射频产品
图表26 2020年国际主要第三代半导体企业布局情况（一）
图表27 2020年国际主要第三代半导体企业布局情况（二）
图表28 2020年主要第三代半导体企业合作动态
图表29 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员（一）
图表30 美国下一代功率电子技术国家制造业创新中心组成成员（二）
图表31 2020年美国设立的部分第三代半导体相关研发项目
图表32 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员（一）
图表33 日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员（二）
图表34 2020年欧盟和英国设立的部分第三代半导体相关研发项目
图表35 欧洲LAST POWER产学研项目成员
图表36 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中第三代半导体相关内容
图表37 2019-2021年国家层面第三代半导体支持政策汇总
图表38 截至2021年地方层面第三代半导体行业相关政策汇总（一）
图表39 截至2021年地方层面第三代半导体行业相关政策汇总（二）
图表40 中国第三代半导体现行国家标准和行业标准
图表41 CASA联盟第三代半导体团体标准
图表42 2020年GDP终核实数与初步核算数对比
图表43 2021年GDP初步核算数据
图表44 2016-2020年全部工业增加值及其增长速度
图表45 2020年主要工业产品产量及其增长速度
图表46 2020-2021年规模以上工业增加值同比增长速度
图表47 2016-2020年普通本专科、中等职业教育及普通高中招生人数
图表48 2019年专利申请、授权和有效专利情况
图表49 2016-2020年研究与试验发展（R&D）经费支出及其增长速度
图表50 2020年专利申请、授权和有效专利情况
图表51 2016-2021年全国R&D经费及投入强度情况
图表52 2016-2021年全国基础研究经费及占R&D经费比重情况
图表53 国内高校、研究所与企业的技术合作与转化
图表54 截至2021年底中国第三代半导体领域专利申请TOP10
图表55 2002-2021年中国第三代半导体领域地区专利申请趋势
图表56 国家重点研发计划2021年度第三代半导体项目申报情况（一）
图表57 国家重点研发计划2021年度第三代半导体项目申报情况（二）
图表58 中国第三代半导体产业技术创新战略联盟发起单位
图表59 第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
图表60 全球推动第三代半导体产业和技术发展的国家计划
图表61 《中国制造2025》第三代半导体相关发展目标