三瑞蓄电池6FM150M-X系列产品简介
1)非***人士不得翻开蓄电池，防止危险，如不当心电池壳割裂，接触到*，请用很多清水冲刷，必要时请就医。
(2)运用多个电池时，要留心电池间的连线准确无误，留心不要短路。
(3)运用过程中应防止剧烈颤动或机械损害
(4)运用上、下带有通气孔的电池容器以便散热。
(5)请不要让雨水淋到蓄电池，或许将电池浸入水中。
(6)电池的打扫请用尽量拧干的湿抹布进行，请不要运用干布或掸子等，请勿运用化学清洁剂清洁电池。
(7)请勿在同箱中混用容量不相同，新旧不相同，厂家不相同的电池
三瑞蓄电池特征
具有高能量、高***度、***电能的商品系列。
具有体积小、分量轻、输电***的特征，适用於高***度供电商品的需要。
相同的体质，相同的质量，却可行进20％的高能量输出密度。
高能量输出，高循环运用寿数、高功率之利益。
适用在高功率的***机械及高效能的UPS不断电体系运用
商品类型阐明
类型 电压 容量 规范(mm/Kg[(±5%)])
(V) (Ah) 长 宽 高 总高 分量
6FM33E-X 12 33 195 130 155 168 9.7
6FM33H-X 12 33 195 130 155 168 10.4
6FM33-X 12 33 195 130 155 168 11
6FM40E-X 12 40 197 165 170 170 12.9
6FM40-X 12 40 197 165 170 170 13.5
6FM45-X 12 45 197 165 170 170 13.8
6FM55SG-X 12 55 229 138 208 213 18.3
6FM55T-X 12 55 229 138 208 213 18.5
6FM55-X 12 55 239 132 205 210 17.3
6FM55E-X 12 55 239 132 205 210 15.3
6FM60-X 12 60 258 166 206 215 24
6FM65E-X 12 65 350 167 179 179 22.4
6FM65-X 12 65 350 167 179 179 23.4
6FM75T-X 12 75 258 166 206 211 24
6FM75-X 12 75 258 166 206 215 23.5
6FM80-X 12 80 350 167 179 179 22.5
6FM90T-X 12 90 306 169 210 215 29
6FM90E-X 12 90 306 169 210 215 27.5
6FM100E-X 12 100 330 171 214 220 29
6FM100F-X 12 100 330 171 215 220 31.5
6FM100H-X 12 100 330 171 215 220 32
6FM100-X 12 100 330 171 215 220 32
6FM100Y-X 12 100 330 171 215 220 28
6FM100RY-X 12 100 339 173 214.5 220 28
6FM100P-X 12 100 339 173 214.5 220 27.5
6FM120E-X 12 120 410 176 227 227 33.5
6FM120H-X 12 120 410 176 227 227 38
6FM120S-X 12 120 330 171 215 222 32.5
6FM120-X 12 120 410 176 227 227 38
6FM134-X 12 134 341 173 283 287 42.5
6FM150E-X 12 150 485 172 240 240 44.8
6FM150M-X 12 150 482 170 240 240 42.5
6FM150H-X 12 150 485 172 240 240 47
6FM150-X 12 150 485 172 240 240 47
6FM180H-X 12 180 522 238 218 223 62
3FM200-X 6 200 240 185 275 275 32.5
6FM200H-X 12 200 522 238 218 240 65
6FM200-X 12 200 522 238 218 223 65
6FM200SE-X 12 200 522 238 218 223 59.1
6FM200P-X 12 200 526 238 246 246 59.6
3FM225-X 6 225 320 176 225 230 30.5
6FM230-X 12 230 520 269 203 208 72.6
三瑞蓄电池6FM65-X规格/报价能量啁啾电子束自由电子激光放大啁啾脉冲束小建彭堂超2，窦玉焕1（1.北京应用物理与计算数学研宄所北京100088；2.武汉大学物理科学与技术学院，武汉430072）和滑移现象对其的影响。采用研制的1维非定态程序GOFEL-P，对能量啁啾自由电子激光放大器放大啁啾脉冲的过程进行了数值模拟和分析，计算了不同啁啾参数的脉冲被放大后的腔外压缩情况。结果表明：与单能电子束时相比，能量啁啾自由电子激光可以放大具有更大啁啾参数的啁啾脉冲，使压缩后的脉冲峰值功率增大至568GW，脉冲宽度缩短至2.29fs大幅增强自由电子激光放大啁啾脉冲以及腔外压缩脉冲的效果。
超短脉冲在有群速度色散（GVD）的线性介质中传播后即可得到展宽的线性啁嗽脉冲。这种啁嗽脉冲若是高斯脉冲，则其慢变包络可表示为2时为正啁嗽，表示脉冲后沿的频率会变大，当C<0时为负啁嗽，表示脉冲后沿的频率会变小。
超短脉冲激光已经成为诸如强场物理等科学研宄领域中的强有力的研宄手段，推动了这些研宄领域的发展和进步。啁嗽脉冲放大（CPA）技术是获得高强度的超短脉冲自由电子激光（FEL）的一种主要途径。从单能FEL放大器放大啁嗽脉冲的数值模拟结果中当C=50时达到的峰值功率63.3GW.因此，利用能量啁嗽电子束的FEL放大器放大啁嗽脉冲的效果要远好于单能电子束FEL放大器的效果，放大的啁嗽脉冲被压缩后可以得到高出将近1个数量级的峰值功率。当300以后，压缩后的脉冲峰值功率会下降，这要是因为C值的增大会使啁嗽脉冲每滑移一个波长后的失谐增大，所以过大的C值对脉冲的放大和压缩是不利的。
（b）中所示的脉冲被压缩后的***小宽度为2.29fs（C=350），比中的单能电子束放大啁嗽脉冲的模拟结果18.5fs小了近1个数量级。这主要得益于能量啁嗽电子束使FEL放大器的增益线宽大大提高，从而可以放大具有很大C值的啁嗽脉冲，大大提高脉冲的展宽压缩比，使脉冲宽度被压缩得更短。
3结论采用1维非定态程序GOFEL-P，对能量啁嗽FEL放大啁嗽脉冲的过程进行了数值模拟和分析，结果表明：能量啁嗽FEL可以明显提高脉冲的功率增益，增大FEL的增益线宽，从而可以放大具有很大C值的啁嗽脉冲，大大提高脉冲的展宽压缩比。与单能电子束时相比，压缩后的脉冲峰值功率增大和宽度缩短近1个数量级，大幅度提高了FEL放大啁嗽脉冲以及腔外脉冲的压缩效果。数值模拟的结果初步验证了采用能量啁嗽电子束的FEL可以直接产生啁嗽脉冲。如何使用具有能量啁嗽电子束的FEL放大器产生并放大啁嗽脉冲将是我们进一步开展的研宄工作。
三瑞蓄电池6FM65-X规格/报价低能电子束光刻的MonteCarlo模拟°bookmark0肖沛，林季资（江苏科技大学张家港校区基础部江苏张家港215600）衬底中的弹性散射和非弹性散射。通过统计电子的能量沉积分布，发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底所以在电子束光刻中有着更高的效率。并且还得到了在不同的入射电子能量下，光刻胶完全曝光所对应的的厚度。
传统的光刻是指用激光把图形刻蚀在半导体材料上的光刻胶内的一门技术，主要用于半导体器件的制作。由于光的波长限制，光学光刻技术不适用于大规模集成电路的制作。人们认为在下一代光亥I技术中电子束光刻***有发展前景，高能电子束光刻由于邻近效应112的影响限制了其发展，低能电子束光刻（0.5keV―5keV）发展***潜力134.在电子束光刻技术中如果全部用，在1keV的入射能量下，电子的大部分能量损失在了光刻胶内。入射电子能量越大，在光刻胶中的损失能量就越小。
计算表明在50nm的光刻胶中，入射能量为1keV的电子损失了98.5%的能量，5keV的电子只损失了8.7%.100nm的光刻胶内，1keV的电子把能量全部损失在了光刻胶内，5keV的电子为18.4%.我们计算的值大小与Peterson的结果1111非常接近。
入射电子的能量越高，沉积在光刻胶中能量就越大，进而发生化学反应的光刻胶分子就多。如要达到相同的刻蚀效果，相比高能量的电子，低能电子光刻需要更少的电子量，说明低能电子更为有效。
因低能电子的低穿透性，当光刻胶较厚时，电子可能使光刻胶的底部不能完全曝光，因此在低能电子光刻中来确定光刻胶厚度就是一个很关键的问题。下面用该方法计算出在不同入射电子能量下，光刻胶的厚度。使光刻胶PMMA发生完全50nm时，由***外层等能线对应PMMA的阈值能，可得到曝光的深度为45nm.入射电子能量3keV，PMMA厚度为300nm时，曝光的深度为210nm如所示。给出了在不同入射电子能量下所对应的曝光厚度，它们之间的关系几乎还可以计算各种条件下对刻蚀图形的影响，从而来确定的实验条件。因使用的模型可以处理二次电子的激发，所以模拟结果更为准确***。
4结束语，本文模拟电子在光刻胶及衬底内行走的过程中，利用Mott截面和介电函数模型，借助MonteCarlo方法得到了电子在光刻胶内的能量沉积分布，以及在不同入射电子能量下所需的光刻胶厚度。本文中计算出来的电子沉积能量分布与本文所采用的模拟方法，不仅可以确定低能电子束光刻技术曝光条件，还可以提供理论指导。