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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。
交流接触器的使用类别和通断条件见表。表1交流接触器的使用类别和通断条件注表1中，I为接通电流；In为额定电流；Ib为分断电流；U为接通前电压；Un为额定电压；Ur为恢复电压。注AC-1：cosΦ的误差为±0.05，L/R的误差为±15%；注AC-2：I或者Ib的值为1000A；注AC-3：Ib的值为800A；注AC-4：I的值为1200A。动作值接触器的动作值分为吸合电压和释放电压。吸合电压是指在接触器吸合前缓慢地增加线圈电压使交流接触器吸合的电压；释放电压是指缓慢地降低线圈电压使交流接触器释放的电压。PM型步进电机价格低是其一大优势。定子与转子之间气隙约为0.25mm，轴承使用滑动轴承（sleevemetal)，PM型步进电机的构造如下剖视图所示。当有特殊需求时，可采用下左图的悬臂结构形式。上右图为其外观。此电机厚度为14mm，外径68mm，呈扁平状，转子有100极，步距角为1.8°。此种结构的转子轴插入轴承时，能确保定子内径与转子外径间的气隙是固定的。滑动轴承有金属系列与树脂系列，金属系列有铁系含油轴承或铜系含油轴承。
电子元件：IC、二三极管、电容、电阻、电感、电位器、连接器、晶振、滤波器、 变压器、功率模块、霍尔元件、发光管、DIP,贴片SMD、继电器等，东芝内存，三星内存，镁光内存，华邦内存，新旧好坏均可。