集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。
成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。
性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。
2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。
PWM方式，变频器中的整流器采用不可控的二极管整流，功率因数较高。
变频器的输出频率和输出电压均由逆变器按PWM方式来完成。
变频调速时，需要同时调节逆变器的输出电压和频率，以保证电动机主磁通的恒定。
对输出电压的调节，主要有脉冲幅值调制方式（简称PAM方式）和脉冲宽度调制方式（简称PWM方式）两种。
PAM方式，是通过改变直流电压的幅值进行调压的方式。
在此类变频器中，逆变器仅调节输出频率，而输出电压的调节则是由相控整流器或直流斩波器通过调节中间直流环节的直流电压来实现。
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三极管，全称半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。
集成电路（IC）芯片在封装工序之后，必须要经过严格地检测才能保证产品的质量，芯片外观检测是一项必不可少的重要环节，它直接影响到 IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。
外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，该方法对设备的硬件要求较高，成本相应较高，设备故障率高，维护较为困难；三是基于机器视觉的检测方法，这种方法由于检测系统硬件易于集成和实现、检测速度快、检测精度高，而且使用维护较为简便，因此，在芯片外观检测领域的应用也越来越普遍，是 IC 芯片外观检测的一种发展趋势。