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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。
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三相380V电机应用非常广泛，在某些只有单相电源的情况下，也可以通过一些办法把三相电机改为两相电机的。但是也容易存在一些问题。比如：启动困难、输出功率不够，大约只有60%左右、转矩小没力、容易发热、长时间运行影响寿命等。改造前提首先必须要确定三相电机的三个绕组首尾端是否正确。三相电机首尾端如果错乱，改了以后会引起电机烧毁。如果三相电机接线端子没拆过，或者接入三相电能正常运行，说明端子是正确的。也可以直接看电机接线盒里的端子编号排布，正确排列如下（注意看线标）：接线三相改单相一共Y型和△型两种接法。2015年4月，某电站全停电恢复送电时，在对220kV#2主变充电时，#2主变高压侧202断路器合闸，由于#2主变空充产生了很大的励磁涌流，#1发电机系统也因此产生了和应涌流，由于涌流中含有较大的非周期分量，从而使进入#1发电机两套保护装置电流均发生了畸变。因发电机机端及中性点使用的CT不是同一厂家生产，CT的传变特性存在差异，饱和程度也不一致，发电机机端和发电机中性点的电流畸变程度不一致，造成发电机差动回路出现差流，引起#1发电机(正常运行的)主二套保护装置发电机比率差动保护动作，#1发电机出口011断路器跳闸。
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