1.按照大小来区分。
我们说的手机内存一般是运行内存，根据大小来区分一般有1GB、2GB、3GB、4GB、6GB、8GB等。
手机运行内存是无法存储文件的，在运行程序的时候，程序会加载到运存中，提供给CPU、GPU等硬件来读取数据，是临时性存储，断电后，数据全部消失。
所有运行的程序包括操作系统都会先加载到运存里，CPU等硬件才能读取指令进行一系列的操作，运行内存出厂时固定的，是不能扩展的。
2.根据内存颗粒的迭代，现在大家用的手机内存一般有DDR3与DDR4两种，在速度和功耗控制上有大幅增强，所以如果同等 RAM 容量的手机， 一定也要看清楚是 DDR4 还是DDR3。
DDR4的速率等各项身体素质方面都要比DDR3来的更好。
3.就是扩展内存，这个我们在购买手机的时候手机都会有标注。
现在主流的都是16G起步，到256G的都有。
这种内存是存储数据使用的，可以通过后台扩展。
3.就是扩展内存，这个我们在购买手机的时候手机都会有标注。
现在主流的都是16G起步，到25G的都有。
这种内存是存储数据使用的，可以通过后台扩展
对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。
成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。
性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。
2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。
以上只是基本原理，具体实现，还有考虑待测电流的大小，把它分成不同的档位，同时考及过流保护，具体实用电路如下：实用电路中分成了200u2m20m200m10A等档位，不同档位所串联的采样电阻值不相同，原则是小电流档位采样电阻值大，大电流档位采样电阻值小。
采样电阻的大小会对待测电路的电生一定的影响，实际使用要估算电流的大小，选取适合的档位才能减小测量的误差。
考虑到使用者可能会接错档位，发生过流烧毁采样电阻，设计中加入了二极管D1和D2和采样电阻并联，采样电阻电流过大时，电压升高，当电压高压二极管导通电压时，二极管导通分流采样电阻的电流，防止电流过大烧毁采样电阻。
二次回路的控制也同样如此，从上到下的看电路图能够事半功倍。
3，二次回路分部分来看。
一般的电路图都会在图纸的右侧或者下侧标明相应的回路是做什么的，或者具有什么作用。
这个时候分部分来看，将控制回路分开为：保护电路，测量电路，控制电路等部分来看，有助于快速的把握原理。
4，快速看图需要把握线号。
线号。
正规电路图中，任何一条线，任何一个接线端子都是有线号的，线号就是导线的名字，同样的线号就是相同的分支和作用。
集成电路（IC）芯片在封装工序之后，必须要经过严格地检测才能保证产品的质量，芯片外观检测是一项必不可少的重要环节，它直接影响到 IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。
外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，该方法对设备的硬件要求较高，成本相应较高，设备故障率高，维护较为困难；三是基于机器视觉的检测方法，这种方法由于检测系统硬件易于集成和实现、检测速度快、检测精度高，而且使用维护较为简便，因此，在芯片外观检测领域的应用也越来越普遍，是 IC 芯片外观检测的一种发展趋势。