我们说的手机内存一般是运行内存，根据大小来区分一般有1GB、2GB、3GB、4GB、6GB、8GB等。
手机运行内存是无法存储文件的，在运行程序的时候，程序会加载到运存中，提供给CPU、GPU等硬件来读取数据，是临时性存储，断电后，数据全部消失。
所有运行的程序包括操作系统都会先加载到运存里，CPU等硬件才能读取指令进行一系列的操作，运行内存出厂时固定的，是不能扩展的。
现在大家用的手机内存一般有DDR3与DDR4两种，在速度和功耗控制上有大幅增强，所以如果同等 RAM 容量的手机， 一定也要看清楚是 DDR4 还是DDR3。
DDR4的速率等各项身体素质方面都要比DDR3来的更好。
这个我们在购买手机的时候手机都会有标注。
现在主流的都是16G起步，到256G的都有。
这种内存是存储数据使用的，可以通过后台扩展。
该方法对设备的硬件要求较高，成本相应较高，设备故障率高，维护较为困难；三是基于机器视觉的检测方法，这种方法由于检测系统硬件易于集成和实现、检测速度快、检测精度高，而且使用维护较为简便，因此，在芯片外观检测领域的应用也越来越普遍，是 IC 芯片外观检测的一种发展趋势。
对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。
成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。
性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。
2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。
个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个，三个电阻和一个电容器，相较于现今科技的尺寸来讲，体积相当庞大。
两路比较器的输出端与R-S触发器的置位和复位相接，从而决定芯片3脚输出端的电平状态。
当芯片2脚（/TR端）输入信号电压低于1/3Vcc时，N1输出端为“0”，R-S触发器被置位，芯片3脚变高电平，（在复位信号未输入之前）并保持；当芯片6脚输入电压高于2/3Vcc时，N2输出端为“1”，R-S触发器被复位（在置位信号未输入之前）并保持。
芯片4为优先复位端（低电平有效），不用时可接Vcc。
显然，作为开关电路应用时，只要控制芯片2脚电压低于1/3Vcc，电路处于“开”态（3脚为“1”）；控制芯片6脚高于2/3Vcc，电路即处于“关”态（3脚为“0”），即为开关（双稳态）电路。
线性变换原理线性变换原理.线性变换的原理很简单，比如说，在工程测量中，常会遇到4-20mA的传感器，如压力传感器或位移传感器等，要转换为0-50MPa的物理量。
用高中学过的直线方程两点式就可以了。
已知两点（4，0）和（20，50），求（x,y）。
线性变换子程序以下介绍线性变换的子程序编写。
新建一个功能块（如FC30）,在FC30中编写线性变换子程序。
如.1所示为线性转化子程序输入变量。
，为了便于使用，输入变量的数据类型都定义为浮点数。
集成电路（IC）芯片在封装工序之后，必须要经过严格地检测才能保证产品的质量，芯片外观检测是一项必不可少的重要环节，它直接影响到 IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。
外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，