贵阳压电陶瓷工厂

氧化物掺杂改性从铅基陶瓷发展历程可知，压电陶瓷工厂，氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径，是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N，而在La，Nb等施主掺杂改性后，其d33升高至274~710pC/N，从而满足实际应用的要求.类似地，氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出，类似于氧化物改性的PZT陶瓷，受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm，压电性能略为降低;与Co稍有不同，Mn掺杂使Qm提高，也改善了压电性能，这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.

介电陶瓷：

介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支，主要用在制作电容器，传统的电容器包括了温度补偿型，高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化，因此将多层的电容做积层的串连，成为积层电容器，大量的以SMT（表面黏着技术）使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件，则运用在大哥大电话，位星通讯等高频通讯的领域，在讲究个人通讯的今日，有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化，利用其高介电性，可以应用在高容量DRAM（动态随机记体）的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM，具有极高的商业潜力，利用自发性极化，可以作为非挥发性记忆体，未来可能取代硬碟，成为大容量IC记忆体的新宠儿。

无铅压电陶瓷是指不含铅的压电陶瓷，其更深层次的含义则是指既具有满意的使用性能又有良好环境友好特性的压电陶瓷材料.它要求材料体系本身不含有对生态环境造成损害的物质，在制备、使用及废弃后处理过程中也不对人类及生态环境造成危害.近年来，国内外的材料学者为无铅压电陶瓷的发展进行了不懈地努力，取得了显著的研究成果.2004年11月4日出版的5NATURE6报道了日本学者利用反应模板晶粒生长(RTGG)制备出了织构碱金属铌酸盐无铅压电陶瓷，压电常数d33可达416pC/N，机电耦合系数kp=61%，其性能堪与PZT陶瓷媲美

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