南京市回收74开头IC同回收存储器IC同H5ANAG8NDMR-VKC

然后在该绝缘层上沉积多晶硅，再次施加光致抗蚀剂，并且晶片通过掩模暴露于光，再次剥离曝光的光致抗蚀剂。

现在，这两层多晶硅和薄氧化层被蚀刻掉。

第3步：掺杂工艺

这是将不纯原子引入暴露的硅中的过程，离子注入机用于将杂质诱导原子引入硅中，这只改变了暴露硅的导电率一微米。剥离光致抗蚀剂残留物后，施加另一氧化层，并且晶圆将施加光致抗蚀剂的另一循环。