然后在该绝缘层上沉积多晶硅，再次施加光致抗蚀剂，并且晶片通过掩模暴露于光，再次剥离曝光的光致抗蚀剂。
现在，这两层多晶硅和薄氧化层被蚀刻掉。
第3步：掺杂工艺
这是将不纯原子引入暴露的硅中的过程，离子注入机用于将杂质诱导原子引入硅中，这只改变了暴露硅的导电率一微米。剥离光致抗蚀剂残留物后，施加另一氧化层，并且晶圆将施加光致抗蚀剂的另一循环。
IC 产品的质量及后续生产环节的顺利进行。外观检测的方法有三种：一是传统的手工检测方法，主要靠目测，手工分检，可靠性不高，检测效率较低，劳动强度大，检测缺陷有疏漏，无法适应大批量生产制造；二是基于激光测量技术的检测方法，该方法对设备的硬件要求较高