显影芯片图案的暴露区域,显示下面的氧化物延迟
未暴露的部分保留下来
因为它保护了之后的氧化物层,暴露的氧化物层在用等离子体显影的区域中被蚀刻掉。
此工艺中的蚀刻,将特殊气体与待在反应室中移除的基材结合,这使得可以在窗口中移除微观层。
在上一步中曝光和显影的区域,一旦光致抗蚀剂残留物被剥离,晶片被清洁后,它将经历进一步的氧化。
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