c.三段式渗氮 三段式渗氮工艺曲线如图2-44所示。
它是在二段式渗氮基础上发展起来的。这种工艺是将第二阶段的温度适当提高，以加快渗氮过程，同时增加较低温度的第三阶段，以弥补因第二阶段氮的扩散快而使表面氮浓度过低，保证表面含氮量以提高表面硬度。
三段式渗氮能进一步提高渗氮速度，但硬度比一般渗氮工艺低，脆性、变形等比一般渗氮工艺略大。
42CrMo热处理
1.退火annealing "760±10℃退火，高新区淬火，炉冷至400℃空冷。 HB220-230
2.正火normalize No.4 860±10℃正火，出炉空冷。
3.调质quenching tempering No.5 840±10℃淬水或油（视产品型状复杂程度），淬火，680-700度回火。 HB<217
蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火，青岛淬火，使得半导体表面与金属能够形成合金，以接触良好（减小接触电阻）。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点（对于Si-Al合金，平度淬火，为570度）。
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