公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
无论是NMOS或是PMOS，导通后都会有导通电阻，使得电流在电阻上耗费一定的电能，WPmos管报价，这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的MOS管就可以减少导通耗损，如今的小功率MOS管导通电阻一般也就几十毫欧的样子，甚至几毫欧的都有。MOS在导通和截至的情况下，并不是在一瞬间完成的。
MOS两边的电压有一个降低的过程，流过的电流则有一个升高的过程，在这段时间内，电压和电流相乘即是MOS管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多，并且要是开关頻率越高，损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大，导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间，就能够减少每次导通时的损耗，减少开关的频率，也就能够减少一定时间内开关的频次，从而做到减少开关损耗。
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结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，WPmos管生产厂家，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，WPmos管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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