近年来，半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。
半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素，而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。
此外，在电动汽车、高铁等领域，半导体器件使用过程中往往要面临颠簸、震动等复杂的力学环境，这对所用材料的力学可靠性提出了严苛的要求。
氮化硅（Si3N4）陶瓷是综合性能好的结构陶瓷材料。
Si3N4陶瓷及其性能特点
Si3N4具有３种结晶结构，分别是α相、β相和γ相。
其中α相和β相是Si3N4常见的形态，均为六方结构。
Si3N4陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能好的结构陶瓷材料。
与其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷材料具有明显优势，尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。
可以看出，Si3N4陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的２倍以上，特别是在材料可靠性上，Si3N4陶瓷具有其他二者无法比拟的优势。
氮化硅耐火制品导热性守下列条件
氮化硅耐火制品导热性守下列条件影响：（1）结合氮化硅制品含氮化硅含量越高其热传导性越好；（2）成型压力大及高密度制品热传导性良好；（3）烧成温度自1300℃提高到1500℃并在中性或弱还原性火焰烧纸的氮化硅制品，导热性约可提高18%-30%；（4)氮化硅制品的导热系数随温度上升而降低。
含氮化硅很高的氮化硅耐火制品除略受加入的结合剂影响外，其化学性能大体上与氮化硅一致。
氮化硅质耐火材料对于还原与氧化气体在高温时的交替作用具有足够的稳定性，气孔率为17~28%的普通氮化硅质制品，长年回收耐火砖厂家，以及用硅化电气烧成法制成的气孔率为17~18%的氮化硅质制品，合肥回收耐火砖，以及在不大的试验装置中作为砌体进行过试验。
氮化硅在工业制造中有广泛的用途，它的电阻率改变不大，可用作电阻发热元件资料。
氮化硅陶瓷使用规模很广，可用于石油工业、化 学工业、轿车、飞机、火箭、机械、矿业、造纸业、热处理、熔炼钢、核工业、微电子工业、激光等职业。
用作喷嘴 、轴承、密封、阀片、热交换器、热电偶套管、阀系列元件、喷砂嘴、内衬、套管、封装资料、基片、反射屏、拉丝 模、成型模等。
硅粉中含有许多杂质，长期回收耐火砖价格，如Fe，Ca，Aì，Ti等。
Fe被认为是反应过程中的催化剂。
它能促进硅的扩散，但同时，也将造成气孔等缺陷。
Fe作为添加剂的主要作用：在反应过程中可作催化剂，促使制品表面生成SiO2氧化膜；形成铁硅熔系，氮溶解在液态FeSi2中，促进β-Si3N4的生成。
但铁颗粒过大或含量过高，制品中也会出现气孔等缺陷，大量回收耐火砖厂家，降低性能。
一般铁的加入量为0～5%。
Al，Ca，Ti等杂质，易与硅形成低共熔物。
适当的添加量，可以促进烧结，提高制品的性能。
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