利用氧等离子体表面处理，使PDMS与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现PDMS与其它基片键合的技术中，-般认为，在进行氧等离子体表面改性后，应立即将PDMS基片与盖片贴合，否则PDMS表面将很快恢复疏水性，从而导致键合失效，因此可操作工艺时间较短，一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的PDMS基片和硅基片上都会带有相应的微细结构，键合前需用一定的时间进行结构图形的对准，因此，实验亲水处理，如何使PDMS活性表面的持续时间得以延长，成为保证键合质量的关键。
硅是地壳中含量仅次于氢和氧的元素，它通常以化合物的形态存在于大自然中。现代，以硅为主的半导体材料已经是微电子信息产业和太阳能光伏产业主要的基础功能材料，亲水处理目的，在国民经济和工业中占有很重要的地位。硅片作为芯片的片基，在进行电路集成之前要进行一系列的准备工作。硅片的亲疏水处理就属于前期准备范畴。表面的浸润性与许多物理化学过程，如吸附、润滑、粘合、分散和摩擦等密切相关。
目前，关于PDMS. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- PDMS多层结构微阀的过程中，浙江亲水处理，将PDMS直接旋涂、固化在硅片上，实现硅- PDMS薄膜直接键合，这种方法属于可逆键合，键合强度不高。在制作生物芯片时，基片亲水处理，利用氧等离子体分别处理PDMS和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是PDMS与SiO2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的SiO2膜层与PDMS的键合效果并不理想。
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