led大功率灯珠简化设计过程 由于需要考虑极大简化热管理，因此相对于大功率技术所需的设计过程，标准LED阵列所需的设计过程要简单得多。
在我们的理论例子中，驱动1W LED需要350mA电流，而六个标准LED阵列仅需120mA电流。
大功率技术需要使用散热片和金属芯PCB板，以确保避免结点温度过高而造成的效率损失、使用寿命降低或者褪色。
因为标准的LED不需要使用散热片、金属芯印刷电路板(MCPCB)、电容器或电阻器，所以这些LED更易于设计、测试和制造。
这种简化的过程不仅为生产过程节约了时间，而且还可以加快产品的上市时间。
LED的亮度用发光强度来衡量，发光强度是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度，即单位立体角所发射出的光通量，单位为烛光(Candela， cd)。
由于一般LED的发光强度小，所以发光强度常用毫坎德拉(mcd)作单位。
一般而言，光源会向不同方向以不同强度出其光通量，在特定方向单位立体角所放出之可见光辐射强度即称之为光强度，简称轴向亮度。
从力在相等时间内做功的多少引入电功率的概念，深紫外led灯，电流做功快，电功率就大;电流做功慢，电功率就小，或说在相等的时间内，电流做的功越多，电功率就越大，在LED上，并不是功率越大，深紫外led灯珠，产品亮度就越高。
以宜美电子的三灯红色LED为例，轴向亮度为1200mcd时，电流是40ma，功率为0.48W;三灯白色LED在同等亮度下，电流是18ma，功率仅为0.24W;可以看出二种光在同等亮度下的功率是不同的。
所以，消费者在选购LED灯具时要关注的是它的轴向亮度，而不是功率。
led大功率灯珠LED芯片有哪些技术问题？LED芯片一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，深圳深紫外led，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
LED芯片尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。
大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，深紫外led芯片，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。
2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。
由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。
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