半导体XRD检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，半导体XRD检测价格，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
晶面衍射方位角ψ
依据光学的反射定律，参与衍射的晶面，其法线必定处于入射线与反射线的角平分线方位上，如图2所示。衍射晶面法线与试样表面法线的夹角即为衍射晶面法线方位角，通常用ψ表示。
依据布拉格定律，可以测定ψ所对应方位上的晶面间距dψ。如果已知无应力状态的晶面间距d0，便可以测定方位上的晶格应变εψ。sin2ψ法的适用范围
S1，S2与S3为试样表面坐标轴，S1由研究人员定义。图3为X射线衍射残余应力测定坐标系统。
依据广义胡克定律，这些晶面的应变是由O点的应力张量决定的，并且与φ、ψ的正余弦、材料的杨氏模量和泊松比等参量密切相关。因此，有可能依据这些的关系求得O点的三维应力，包括应力σφ。由弹性力学可以导出OP方向上的应变的表达式。对于大多数材料和零部件来说，X射线穿透深度只有几微米至几十微米，因此通常假定σ33=0。
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小角xrd表征什么，大角xrd又表征什么
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薄膜样品在基底上以二维形式存在，通常在平行厚度方向或者面内方向具有强烈的各向异性。因此，一般我们讨论材料的性能和特点时一般有两个方向，一个是沿厚度方向，另一个是面内方向（晶面垂直于宏观平面生长的方向）。我们对薄膜的表征包含晶格常数，晶格畸变，晶体取向以及晶粒尺寸等。此外，薄膜分析通常包括薄膜特有的结晶相、亚稳相、外延薄膜中的畸变/弛豫等。
除上述外，X射线反射率的方法可以被用来表征薄膜的各种特征，例如厚度，密度，粗糙度等。该方法适用于晶态、非晶态以及多层膜的表征。
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