XRD物相分析检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
不同X射线残余应力测定方法的原理与应用
(1) sin2ψ法可以采用选取较大的ψ范围和较多的ψ站数进行残余应力测定，从而提高测试精度。cosα法采用单次曝光，ψ范围不够大会造成较大的测量误差，具有局限性，有待于进一步完善。
(2)在基于sin2ψ法原理的测量方法中，与同倾法相比，侧倾法具有明显的优越性。在被测点所处空间条件允许的前提下，应尽量采用侧倾法。对于某些零件的沟槽部位的残余应力测定，通常采用同倾法。
(3) 在残余应力的计算方法中，可真应变法。
(4) sin2ψ法作为一种标准的方法，ψ角的设置好采用sin2ψ值等分法，尽量多选择几个ψ角进行测量。
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薄膜样品在基底上以二维形式存在，通常在平行厚度方向或者面内方向具有强烈的各向异性。因此，XRD物相分析检测服务，一般我们讨论材料的性能和特点时一般有两个方向，一个是沿厚度方向，另一个是面内方向（晶面垂直于宏观平面生长的方向）。我们对薄膜的表征包含晶格常数，晶格畸变，晶体取向以及晶粒尺寸等。此外，薄膜分析通常包括薄膜特有的结晶相、亚稳相、外延薄膜中的畸变/弛豫等。
除上述外，X射线反射率的方法可以被用来表征薄膜的各种特征，例如厚度，密度，粗糙度等。该方法适用于晶态、非晶态以及多层膜的表征。
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X射线小角散射（Small Angle X-ray scattering，SAXS）是通过收集X射线穿过样品之后产生的散射信号，来研究样品1~100 nm范围之内结构信息的技术。SAXS对样品的形式没有特定要求，XRD物相分析检测机构，块状，粉末和液体均可，西藏自治XRD物相分析检测，但要求感兴趣的结构与周围环境有电子密度起伏，即衬度。
由于纳米颗粒形貌和尺寸会对其物化性能均会产生影响，为了实现更的纳米颗粒形貌和尺寸的分析，以便更好地利用纳米颗粒，采用更具有统计意义的SAXS技术是个非常必要的选择。首先利用TEM对纳米颗粒形貌及尺寸进行初步分析，然后采集不同的纳米颗粒分散液的SAXS数据，利用不同的形状因子（即，cube，sphere， 和superball）对数据进行分析得到了不同的p值。当p=1时，纳米颗粒为球形，当，纳米颗粒则为立方体。
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