等离子清洗设备的原理是在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，简单疏水处理，利用射频电源产生的高压交变电场将氧、、氢等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的离子，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到表面清洁活化的目的。是清洗方法中为的剥离式清洗，疏水处理 图书，其大优势在于清洗后无废液，大特点是对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料等都能很好地处理，安徽疏水处理，可实现整体和局部以及复杂结构的清洗
硅是地壳中含量仅次于氢和氧的元素，它通常以化合物的形态存在于大自然中。现代，常见疏水处理，以硅为主的半导体材料已经是微电子信息产业和太阳能光伏产业主要的基础功能材料，在国民经济和工业中占有很重要的地位。硅片作为芯片的片基，在进行电路集成之前要进行一系列的准备工作。硅片的亲疏水处理就属于前期准备范畴。表面的浸润性与许多物理化学过程，如吸附、润滑、粘合、分散和摩擦等密切相关。
硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r（SL）- r（SG）＞0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（SG）下降，或者r（SL）上升。方法还是改变其表面结构，使 r（SG）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构，表面呈疏水性。
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