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半电流IGBT图片
半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有体积小、重量轻和等优点。
它的工作原理是基于P型金属-氧化物—硅（MOS）场效应晶体管和大容量绝缘栅双极性晶体管的组合体特性而设计的；当加在两个门极之间的电压达到一定数值时，600V IGBT作用，其C*结被夹持形成电容器短路通道而有较大导通能力[1]。
大电流IGBT是一种电力电子器件，主要用于交流电机控制和变频器中。
它的主要作用是作为功率输出级和控制电路的接口元件，对中间直流环节起电能隔离(或变化)与缓冲的作用[3][2]。
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