芯片高温噪声大一直是集成电路设计中的一个重要问题。随着集成度的不断提高和工作频率的增加，芯片内部的功耗密度也在不断增加，导致芯片工作时产生大量的热量。由于高温会导致晶体管的迁移率下降、击穿电压减小等问题，因此芯片设计中需要考虑高温对噪声的影响。
高温会导致晶体管的热噪声增加。根据热激发噪声公式，晶体管的热噪声与温度成正比，因此在高温环境下，晶体管的热噪声会显著增加。这会对芯片的信噪比产生负面影响，特别是在低信号水平下，热噪声会占据主导地位，严重影响芯片的性能。
高温还会导致电子迁移率减小，使得晶体管的噪声系数增加。当芯片工作在高温环境下时，晶体管内的载流子容易受热激发而产生较大的漂移运动，从而导致电子迁移率减小，增加晶体管的噪声系数。这会导致芯片的整体噪声性能下降，影响其在高频通信等领域的应用。
除此之外，高温还会导致器件的击穿电压降低，增加器件的闪烁噪声。在高温环境下，器件的绝缘材料会受到热膨胀和老化的影响，导致击穿电压降低，增加了器件的闪烁噪声。这会影响芯片的可靠性和稳定性，降低其在复杂环境下的工作性能。
针对芯片高温噪声大的问题，可以采取一些有效的解决方法。通过优化电路结构和工艺设计，减小芯片内部的功耗密度，降低温升，从而减少热噪声的产生。采用低噪声材料和工艺，提高晶体管的工作效率和稳定性，减小噪声系数和闪烁噪声。