低噪声放大器的特点是输入端信号很小，输出端需要放大到一个较高的幅度。而且由于信号很小，任何噪声都会对整个系统造成很大的影响，因此低噪声放大器的噪声功率应该尽可能地小。这点非常重要，因为如果噪声功率太大，就会淹没掉弱信号，而使系统无法正常工作。
低噪声放大器通常有很高的增益，并且设计上一般采用高质量的半导体材料和优良的RF PCB布局和平面耦合技术。低噪声放大器往往采用反馈电路来控制放大器的稳定性和增益，以减少噪声和失真。
低噪声放大器有多种拓扑结构，包括共源极（Common Source）、共栅极（Common Gate）和共漏极（Common Drain）等。常见的材料有GaAs、InP、SiGe和CMOS等。其中，GaAs和InP是高质量的半导体材料，具有低噪声和高增益的特点；SiGe是一种新型的半导体材料，比传统的Si材料具有更高的电子迁移率和更大的截止频率，因此可以用来制作高性能的低噪声放大器。