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库存索迪龙回收 制驱动电流和静电控制能力在平面晶体管中，可以通过通道宽度来驱动更多电流并接通与断开的速度然而，随着CMOS设计的发展，单元的轨道高度不断，这就“鳍”的尺寸受到，而基于5nm以下节点制造的单鳍器件将会无法提供足够的驱动电流此外，虽然“鳍”的三面均受栅极控制，但仍有一侧是不受控的随着栅极长度的缩短，短沟道效应就会更明显，也会有更多电流通过器件底部无的部分泄露因此，更小尺寸的器件就会无法功耗和性能要求用纳米薄片代替鳍片全包围栅极(GAA)是一种经过改。
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