电场感应下面(Field-Induced Model, FIM)
此FIM模型的静电放电发生是因电场感应而起的，当IC因输送带或其他因素而经过一电场时，其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉，等IC通过电场之后，IC本身便累积了静电荷，此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模型早在双载子(bipolar)电晶体时代就已被发现，现今已有工业测试标准。在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦已对此电场感应模型订定测试规范 (JESD22-C101)，详细情形请参阅该工业标准。
Charged-Device Mode静电放电可能发生的情形。IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。
元件充电模型 (Charged-Device Model, CDM)
此放电模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中，当其pin去碰触到接地面时，IC内部的静电便会经由pin自IC内部流出来，而造成了放电的现象。
此种模型的放电时间更短，仅约几毫微秒之内，而且放电现象更难以真实的被模拟。因为IC内部累积的静电会因IC元件本身对地的等效电容而变，IC摆放的角度与位置以及IC所用的包装型式都会造成不同的等效电容。由于具有多项变化因素难定，因此，有关此模型放电的工业测试标准仍在协议中，但已有此类测试机台在销售中。该元件充电模型(CDM) ESD可能发生的原因及放电的情形显示于下面图中。
人体放电模型(2-KV) 与机器放电模型(200V) 放电电流的比较图另外在国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦对此机器放电模型订定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A)，详细情形请参阅该工业标准。