中是两种微型压力传感器的膜片，图中数字的单位为毫米。此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条 ，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。工作原理编辑压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。 用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用ZUI为普遍。发展状况编辑1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，从此开始用硅制造压力传感器。早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。后来在 N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。这两种传感器都同样采用粘片结构，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固有缺陷，而且能将电阻条、补偿电路和信号调整电路集成在一块硅片上，甚至将微型处理器与传感器集成在一起，制成智能传感器（见单片微型计算机）。这种新型传感器的优点是:①频率响应高(例如有的产品固有频率达1.5兆赫以上),适于动态测量;②体积小（例如有的产品外径可达0.25毫米），适于微型化；③精度高，可达0.1～0.01%；④灵敏高,比金属应变计高出很多倍，有些应用场合可不加放大器；⑤无活动部件，可靠性高，能工作于振动、冲击、腐蚀、强干扰等恶劣环境。其缺点是温度影响较大（有时需进行温度补偿）、工艺较复杂和造**等。应用编辑压阻式传感器广泛地应用于航天、航空、航海、石油化工、动力机械、生物医学工程、气象、地质、地震测量等各个领域。在航天和航空工业中压力是一个关键参数,对静态和动态压力,局部压力和整个压力场的测量都要求很高的精度。压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器。例如,用于测量直升飞机机翼的气流压力分布，测试发动机进气口的动态畸变、叶栅的脉动压力和机翼的抖动等
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parker电磁阀P2E-KS32C 24VDC
PS1-E116
PS1-E2302B
PS1-E116
CL-D-C73
PS1-E181
PS1-E101 PS1-E186
PS1-E1038
PS1-E23 AC220V
PS1-E23 DC24V
PS1-E23 AC220V
PS1-E2302B
PS1-E2302B
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PS1-E116
PS1E2302B
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PS1E2302B
PS1-E116
PS1E2302B
PS1-E116
PSI-E181
PSI-E101
PSI-E1038
PS1E2302B PS1-E116
PS1E2302BPS1-E116
PS1E2302B
PS1-E116
PS1E2302B
供应`SCAN`计数器SCM-31M SCM-41M SCM-51M SCM-61M SCB-42AM SCB-52AM
SCB-62AM SCB-43AM SCB-56M SCB-46M
近接开关FCM2-0802P-A3U2、VL-L03MN-SX94U2、M18B-L3000N-CX9C4U2、FCM2-0802P-A3U2、FQP2-2802N-A3U7/PUR、FQP2-1802N-A3U7/PUR、FQP2-2802N-A3U7/PUR、FCM2-1808A-A3L2、M18B-L3000N-CX9C4V2、VL-L03MN-SX94U2、FQP2-1804H-A302、Q2-1804N-A
光电开关VL-L03MH-SX94U2、M18B-L3000N-CX9C4U2、VL-R500N-SX94U2、M18B-D0500N-CX9040