全自动晶圆研磨后清洗机由多个部分组成，包括清洗池、气体喷枪、旋转台等。
首先，晶圆会被放到清洗池中，在池中进行清洗。
清洗池中通常会加入一些特殊的化学试剂，这些试剂可以很好地去除晶圆表面的杂质和残留物。
同时，清洗池中还会引入一定的气体，这些气体可以增加清洗液的活性，加速清洗过程。
为了让清洗液充分地接触晶圆表面，清洗池通常会设有旋转台，将晶圆不停地旋转。
全自动晶圆研磨后清洗机会配备气体喷枪，用于在清洗之前和清洗之后对晶圆进行吹扫。
这样可以将晶圆表面粘附的杂质和残留物刮除掉，让清洗液更好地接触晶圆表面。
全自动晶圆研磨后清洗机应用范围：
1、炉前清洗：扩散前清洗。
2、光刻后清洗：除去光刻胶。
3、全自动晶圆研磨后清洗机氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。
5、外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。
7、全自动晶圆研磨后清洗机离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。
8、扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。
9、CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。
10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物
全自动晶圆研磨后清洗机特点：
台式系统
无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干
支持12”直径的圆片或9”x9”方片
全自动晶圆研磨后清洗机微处理机自动控制
IR红外灯
选配项：
掩模版或晶圆片夹具
全自动晶圆研磨后清洗机全自动晶圆研磨清洗机PVA软毛刷清洗
化学试剂清洗(CDU)
氮气离子发生器