HN1000B 断路器剩余电流保护器动作特性测试仪（分A型AC型B型F型）
B型剩余电流断路器测试仪（以下简称测试仪）是为剩余电流断路器的性能测试而研制，它是检测B型剩余电流断路器脱扣电流和分断时间的关键仪器。
测试仪适用于电子式和电磁式的剩余电流断路器。
1P+N、2P、、+N、4P的断路器均能测试，输出大剩余电流为2A。
系统显示和操作采用流行的工业级触摸屏，操作简单；
接地方式：可靠接地
测试仪输出的电流值为真有效值，测试不确定度小于1%；
（2）50Hz交流剩余电流范围：0~2A；
选项角为0°的脉动直流剩余电流，电流的范围为0~800mA；
选项角为135°的直流剩余电流，电流的范围为0~200mA；
（5）叠加平滑直流的范围为5~100mA；
50Hz工频电磁场干扰是硬件开发中难以避免的问题，特别是敏感测量电路中，工频电磁场会使测量信号淹没在工频波形里，严重影响测量稳定度，故消除工频电磁场干扰是敏感测量电路设计中不可逃避的挑战。
PT100是当前应用为广泛的测温方案，各位工程师在应用此方案时是否会遇到这样的问题：为什么PT100测温电路会存在周期性小波动？该如何解决？其实出现这样的现象主要可能是存在如下几个原因：50Hz工频电磁场的影响；周围电机或者继电器等开关动作造成的群脉冲干扰；传导进去系统的工频共模干扰。
兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。
红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。
实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。
图中可见该值约为0.25mA。
由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
WLP(WaferLevelPackaging)：晶圆级封装，是一种以BGA为基础经过改进和提高的CSP，直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件的方式。
上述封装方式中，系统级封装和晶圆级封装是当前受到热捧的两种方式。
系统级封装因涉及到材料、工艺、电路、器件、半导体、封装及测试等，在发展的过程中对以上域都将起到带动作用促进电子制造产业进步。
晶圆级封装可分为扇入型和扇出型，IC制造域巨头台积电能够拿下苹果A10订单，其开发的集成扇出型封装功不可没。