河西区GFM-100 光宇蓄电池2V100Ah直流屏低内阻

河西区GFM-100    光宇蓄电池2V100Ah直流屏低内阻

根据以上要求,设计如下IGBT驱动电路：以日本富士公司生成的IGBT

专门驱动芯片EXB841为核心器件,同时配以其他必要的器件,如图4-5所

示。EXB841可驱动300A/1200V的IGBT；信号延迟时间小于1us；工作频率