此标准为CCC(3C)认证/强制性产品认证检测标准。
标准编号标准名称实施日期状态GB/T 13539.4-2016低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求2016/11/1现行标准号 Standard No.中文标准名称 Standard Title in Chinese英文标准名称 Standard Title in English状态 State备注 RemarkGB/T 13539.4-2009低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求Low-voltage fuses Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices废止2009-11-01实施GB/T 13539.4-2005低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices废止2006-04-01实施,代替GB 13539.4-1992本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。
如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
Test Requirement 测试要求：标准 / Standard项目/参数 / Test Items检测标准（方法） / Test Method tecert.com低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016标志低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 6尺寸低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.4电阻低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.5.1熔断器支持件的布置低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.1绝缘性能验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.2隔离适用性验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.3温升与耗散功率低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.3约定不熔断电流与约定熔断电流验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.1熔断体的额定电流验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.2时间-电流特性和门限验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.3过载低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.4约定电缆过载保护低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.5指示装置和撞击器动作低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.4.3.6分断能力验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.5截断电流特性验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.6I2t特性和过电流选择性验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.7外壳防护等级验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.8耐热性验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.9触头不变坏验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.10机械强度低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.1耐应力腐蚀龟裂验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.1耐非正常的热和火验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.2耐锈性验证低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.11.2.3Sample Size 样品数量 / 送样规格: on requestLead Time / TAT (Turn Around Time) 测试周期: 常规服务 Regular service 7-9 working daysReport Summary 报告摘要: