Clevios™分散体一旦被烘干，便很难再次进行分散。溶液中颗粒物干燥后会附着在过滤器上。因此，注射器和过滤器仅可使用
一次。此外，将Clevios™分散体从瓶中倒出时，应当正好倒出所需的量，避免将未使用的产品重新倒回瓶中。
Clevios导电聚合物的涂覆
Clevios™分散体和配方可通过多种工艺进行涂覆或印刷，例如旋涂、狭缝涂布、喷涂、浸涂、凹版印刷、丝网印刷和喷墨打印
等。我们为某些工艺提供即用型油墨或浆料配方，同时我们的技术服务团队能够为其他需要进行产品改进的工艺提供支持。
在实验室中，旋涂是将Clevios导电聚合物沉积为一道薄涂层的常见方式。接下来将对Clevios导电聚合物的旋涂工艺进行详细介
绍:
通过旋涂工艺沉积到氧化铟锡(ITO)玻璃表面的Clevios™P导电聚合物涂层的厚度由以下几个参数确定:
旋转速度
加速度
旋转时间
旋涂器的设计
基材尺寸和表面
■基材表面预处理的质量
氧化铟锡(ITO)玻璃的预处理对于Clevios™P导电聚合物能否在该基材表面均匀分散影响极大。因此，并没有通用的规则来
确定旋转速度与涂层厚度之间的关系。为了描绘出典型的旋转-厚度示例曲线，我们将各种Clevios™P系列的导电聚合物旋涂
在涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材表面。结果在旋涂机(带3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上显示。首先将尺寸为50 mmx
50 mm的涂有氧化铟锡(ITO)的玻璃基材采用湿洗法洗净，然后将其表面置于紫外线/臭氧腔室中进行活化处理，时间为15
分钟。通过Pasteur移液管将约1-2毫升的Clevios™P系列导电聚合物沉积到玻璃基材表面。进行旋涂工艺前，手动将该聚合物
分散体分散到整个基材表面。
旋涂工艺结束后，将湿膜置于加热板上进行热风烘烤。推荐的烘烤温度和烘烤时间:Clevios™PAI4083、Clevios™ P
CH8000等电子产品用导电聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的温度下烘烤5分钟;Clevios™PH 1000、Clevios™ HIL-
E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高导电性产品:在130C的温度下烘烤15分钟。