半自动晶圆刻蚀机在半导体刻蚀机台对晶圆进行干法刻蚀的过程中，由于晶圆边缘的er(etch rate，刻蚀速率)比中心处的er快，为了**晶圆刻蚀的均匀性，会在机台的内部设置聚焦环(focus ring)，聚焦环被安装在反应离子蚀刻室中晶片周围的平台上，以保护晶圆的边缘，降低晶圆边缘区域的刻蚀速率，**晶圆表面刻蚀的均匀性，如图1所示出的刻蚀机台内部腔体结构中聚焦环1的位置，注入气体4经过分流器3注入腔体中对晶圆2进行刻蚀制程的同时，聚焦环1也随之损耗，晶圆2边缘刻蚀速率较快，同样地，加快了聚焦环1的消耗，因此使用一段时间后，需要机台及时进行pm，以更换新的聚焦环，这样一来缩短了mtbc，影响了机台的产能。

半自动晶圆刻蚀机特点：

1.真空腔规格: 材质316不锈钢 L270mm*W280mm*H200mm

2.电极：平板气浴电极，材质6061-T6铝合金    功率电极：1      接地电极：1

3. 电极尺寸：230mm *230mm（*大可处理产品尺寸，可处理8寸晶圆）

4. 半自动晶圆刻蚀机频率：13.56MHz

5. 功率：0-300W连续可调，可在设备运行中随时调整参数。

6. 气体控制：精密针阀式浮子**计， 0-1000ml 2路气体

7. 半自动晶圆刻蚀机真空度测量仪器： 2色显示式高精度数字式压力开关（SMC）

8. 控制方式：4.3寸工业控制触摸屏，全手动控制和全自动控制两种控制方式

9. 控制软件功能：界面显示实时工作状态

10. 半自动晶圆刻蚀机规格尺寸：长600mm 宽600mm 高700mm

11.电极板配置：配备3个卡槽位（接地电极），极板间距离可调整，可按需求调整极板位置