全自动晶圆抛光后清洗机有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力，市场份额相对小。

一般采取旋转喷淋的方式，用化学喷雾对单晶圆进行清洗的设备，相对自动 清洗台清洗效率较低，产能较低，但有着极高的制程环境控制能力与微粒去除能力。

全自动晶圆抛光后清洗机可用于多种工艺中，包括扩散前清洗、栅极氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻胶清除、多晶硅清除等多个清洗环节和部分刻蚀环节中。

还有另一种单晶圆清洗设备采取超声波清洗方式，市场份额相对小

全自动晶圆抛光后清洗机在应用环节上没有较大差异，两者的主要区别在于清洗方式和精度上的要求。

简单而言，单晶圆清洗设备是逐片清洗，自动清洗台是多片同时清 洗，所以自动清洗台的优势在于设备成熟、产能较高，而单全自动晶圆抛光后清洗机的优势在于清洗精度高，背面、斜面及边缘都能得到有效的清洗，同时避免了晶圆片之间的交叉污染。

洗刷器在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。

全自动晶圆抛光后清洗机采取旋转喷淋的方式，但配合机械擦拭，有高压和软喷雾等多种可调节模式，用于适合以去离子水清洗的工艺中，包括锯晶圆、晶 圆磨薄、晶圆抛光、研磨、CVD 等环节中，尤其是在晶圆抛光后清洗中占有重要地位。

在晶圆的加工中，需要对晶圆进行化学机械抛光处理，抛光处理后的晶圆需要进行清洗作业。在晶圆的清洗工序中，往往是需要对晶圆进行固定，再进行清洗。由于晶圆的特殊性，对晶圆进行夹持会损坏晶圆表面；而且将晶圆进行固定，清洗效果并不好，为此我们发明了一种晶圆清洗机。

全自动晶圆抛光后清洗机特点：

晶圆*大 300mm PVA

双面清洗双面刷洗

PVA双面刷洗

全自动晶圆抛光后清洗机支持4路化学液清洗，包括氨水与SCI

工作台含驱动组件，用于晶圆低速旋转（50-100 rpm）

化学清洗臂含 4 路化学液

去离子水和稀释氨分配的水坑喷嘴

全自动晶圆抛光后清洗机去离子水的 BSR（背面冲洗）喷嘴

带有流通孔的工艺室

标配三种不同化学品供应系统

工艺室外的手动去离子水枪。

全自动晶圆抛光后清洗机化学液可加热，*高可达 60°C（*高85°C ）

外部可更换化学液

支持兆声清洗

支持高压等离子水冲洗